绝缘栅双极性晶体管及其晶片.pdfVIP

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2023-07-27 发布于四川
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一种绝缘栅双极性晶体管及其晶片，绝缘栅双极性晶体管包含半导体基材、三维隔离区、集极区、缓冲区、第二导电型的漂移区本体区及至少一源极区，其中半导体基材具有顶面，且顶面在水平面中延伸；三维隔离区具有底部及侧壁部分；第一导电型的集极区是设置于三维隔离区上；第二导电型的缓冲区是设置于集极区上，其中第二导电型是相对于第一导电型的；第二导电型的漂移区是设置于缓冲区上；第一导电型的本体区是设置于漂移区中；且第二导电型的至少一源极区是设置于本体区中。三维隔离区及半导体基材的顶面包围集极区、缓冲区、漂移区、本体区

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219419036 U (45)授权公告日 2023.07.25 (21)申请号 202320880498.X H01L 27/04 (2006.01) (22)申请日 2023.04.