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本实用新型公开了一种具有双向ESD保护能力的SGT‑MOS器件，包括：源极金属，从上到下依次设置于源极金属下部的漂移区、衬底和漏极金属，以及MOS器件本体；源极金属的下部设置有N型重掺杂区和P型重掺杂区，N型重掺杂区和P型重掺杂区的下部设置有P型基区，P型基区设置于漂移区的上部；漂移区的上表面两侧均设置有屏蔽栅沟槽机构。本实用新型可以提供双向ESD保护能力，既充分利用了NPNPN结构高维持电压的特点，又利用了NPNPN结构反向为正向二极管的特点，通过两个镜像对称的NPNPN器件的连接，避免了反向
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219419034 U
(45)授权公告日 2023.07.25
(21)申请号 202320831971.5 H01L 23/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.04.
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