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本实用新型公开了一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于包括：炉体末端、上限位块、下限位块、上传输杆、下传输杆、纠偏装置支撑杆、纠偏装置支撑杆安装轴承和纠偏装置框架，所述炉体末端设置在氮气炉的两端，所述炉体末端上设置有纠偏装置支撑杆安装轴承，所述纠偏装置支撑杆安装轴承之间设置有纠偏装置支撑杆，所述纠偏装置支撑杆穿过纠偏装置框架，所述纠偏装置框架上设置有上传输杆和下传输杆，所述上传输杆上设置有多个上限位块，所述下传输杆上设置有多个下限位块。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209926870 U
(45)授权公告日
2020.01.10
(21)申请号 20182
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