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- 2023-07-29 发布于四川
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公开了半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括:衬底,其具有第一区域和第二区域;第一堆叠结构,其位于第一区域中;第一沟道结构,其穿透第一堆叠结构并且与衬底接触;以及第二堆叠结构,其位于第一堆叠结构和第一沟道结构上。该装置还包括:第二沟道结构,其穿透第二堆叠结构并且连接到第一沟道结构;第一模制结构,其位于第二区域中;第一对准结构,其穿透第一模制结构并且与衬底接触;以及第二模制结构,其位于第一模制结构和第一对准结构上。该装置还包括:第二对准结构,其穿透第二模制结构并且连接到第一对准结构;以及保护层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507126 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310058816.9 H01L 23/544 (2006.01)
(22)申请日 2023.01
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