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三维存储器器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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三维存储器器件及其形成方法.pdf

    一种三维(3D)存储器器件包括沿第一方向布置的多个存储器堆叠体、以及设置在两个相邻存储器堆叠体之间的虚设块结构。每个存储器堆叠体包括沿垂直于第一方向的第二方向交替堆叠的多个第一导电层和多个第一电介质层。沟道结构沿第二方向延伸穿过多个第一导电层和多个第一电介质层。第一隔离结构设置在虚设块结构与多个存储器堆叠体中的一个存储器堆叠体之间。衬底设置在多个存储器堆叠体、虚设块结构和第一隔离结构下方。第二隔离结构设置在衬底中，并且第二隔离结构沿第二方向延伸。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116508409 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202280002313.3 (72)发明人 陈亮　黄诗琪　刘威　王言虹　 (22)申请日 2022.06.0

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