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一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法.pdf

    本发明公开了一种形成低温碳氧化硅薄膜的方法，所述方法包括：将PECVD设备的真空反应腔室升温至60～100℃后，在真空反应腔室内放入基底，然后通入硅烷、二氧化碳和氦气，设置高频功率源的功率值为300～550W，低频功率源的功率值为90～200W，在基底表面沉积碳氧化硅的步骤。本发明首次开发了一种在60～100℃的低温下制备碳氧化硅薄膜的方法，有效降低了成膜温度，且制得的低温碳氧化硅薄膜具有良好的稳定性和低温抗反射性，能够满足低温器件沉积SiOxCy要求。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116497340 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310735429.4 (22)申请日 2023.06.21 (71)申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限

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