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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明公开一种近红外LED器件及其制备方法，其中，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、空穴注入层、发光层、n型缓冲层、透明电极层和表面电极层，所述发光层包括Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中0≤x
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504899 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310466659.5
(22)申请日 2023.04.24
(71)申请人 中国科学院深圳先
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