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一种高可靠反熔丝开关单元结构.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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一种高可靠反熔丝开关单元结构.pdf

    本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件/所述第二反熔丝器件的编程形成开态，与第一高压NMOS管/第二高压NMOS管构成通路，实现编程电压VPP信号对信号传输NMOS管的栅极电位控制，进而实现信号传输NMOS管开/关态。本发明开关单元结构简单，兼容于CMOS工艺，具有良好高可靠和抗辐射特性，可应用于高可靠、抗辐射可编程逻辑器件和存储

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116505927 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310468698.9 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研

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