离子束溅射制备SiGe薄膜的结构和发光特性研究的开题报告.docxVIP

离子束溅射制备SiGe薄膜的结构和发光特性研究的开题报告 一、研究背景与意义 硅锗(SiGe) 合金材料是近年来发展得比较快的一种异质结材料，在微电子学领域被广泛应用。硅锗合金材料具有许多独特的性质，如可调带隙、热膨胀系数低等特点。这些特点使得硅锗合金材料被广泛应用于半导体器件、激光器和太阳能电池等领域。 离子束溅射 (Ion Beam Sputtering, IBS) 技术作为一种薄膜制备技术具有许多的优势，如高质量的薄膜、薄膜厚度均匀等，因而在半导体器件制备过程中得到了广泛应用。然而，在利用离子束溅射制备硅锗薄膜时，由于硅和锗之间的晶格失配导致的局部电荷分离等问题给制备过程和硅锗膜的材料性质造成了一定的影响， 这就需要对硅锗合金材料的结构和发光特性进行深入的研究。 因此，本论文将研究离子束溅射制备SiGe薄膜的结构和发光特性，以期能够进一步优化该工艺的制备过程，同时为SI/Ge异质结器件的设计和制备提供指导性的参考。 二、研究内容 1. 硅锗薄膜的制备过程及制备条件确定：通过文献调研和试验确定最佳的制备条件，以保证获得高质量的硅锗薄膜。 2. 硅锗薄膜的微观结构和物理性质的研究：采用X射线衍射和拉曼光谱技术，研究硅锗薄膜的微观结构和物理性质，并对比分析不同硅锗合金材料的结构和性质。 3. 硅锗薄膜的发光特性研究：利用光致发光技术，研究硅锗薄膜的发光特性，并探究不同制备条件对硅锗薄膜发光特性的影响。 4. 结果分析与讨论：分析实验结果，得出结论并总结经验，为进一步的研究提供指导性的参考。 三、研究方法 1. 离子束溅射硅锗材料薄膜的制备：采用离子束溅射技术，在高真空条件下制备硅锗材料薄膜。 2. X射线衍射分析：利用X射线衍射技术分析硅锗薄膜的晶体结构。 3. 拉曼光谱分析：利用拉曼光谱技术，研究硅锗合金材料的物理性质。 4. 光致发光分析：利用光致发光技术，探究硅锗薄膜的发光特性。 四、预期成果 1. 硅锗薄膜的制备过程最优化； 2. 硅锗薄膜的晶体结构、物理性质以及发光特性的研究结果； 3. 对离子束溅射制备硅锗薄膜工艺的改进，以及对硅锗异质结器件的设计和制备提供参考性建议。 五、论文框架 1. 绪论 2. 硅锗合金材料的结构和性质研究 2.1 硅锗合金材料的晶体结构 2.2 硅锗合金材料的物理性质 3. 离子束溅射制备硅锗薄膜 3.1 离子束溅射技术原理 3.2 硅锗薄膜制备工艺 4. 硅锗薄膜微观结构和物理性质的研究 4.1 X射线衍射分析 4.2 拉曼光谱分析 5. 硅锗薄膜的发光特性研究 5.1 光致发光技术原理 5.2 硅锗薄膜的发光特性研究 6. 结果分析与总结 7. 参考文献