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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请涉及电阻存储器装置和该电阻存储器装置的制造方法。一种电阻存储器装置包括:层叠结构,其中多个层间绝缘层和多个导电层交替地层叠;孔,其通过多个层间绝缘层和多个导电层穿透层叠结构;多个绝缘图案,其形成在多个层间绝缘层中的每一个的在孔内的侧壁上;沟道层,其沿着多个导电层中的每一个的在孔内的侧壁和多个绝缘图案中的每一个的在孔内的侧壁形成,其中,沟道层包括与绝缘图案相邻并且关于孔的中央部分以凸形形成的凸形区域并且包括与多个导电层相邻并且关于孔的中央部分以凹形形成的凹形区域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507132 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210839363.9
(22)申请日 2022.07.18
(30)优先权数据
10-2022-0009493
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