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一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置.pdf

    本发明涉及第三代半导体的晶圆加工领域，其公开了一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置，其包括机架，机架上安装有底壳，底壳的上开口端安装有保温壳，底壳内设置有用于承托待蚀刻晶圆的承托机构，保温壳内安装有用于对晶圆进行蚀刻的蚀刻装置，蚀刻装置先对晶圆上表面进行蚀刻液涂刷，刻蚀出凹槽，后往复朝凹槽内注入蚀刻液，并且蚀刻液涂刷以及朝凹槽内注入蚀刻液的过程中，蚀刻装置的移动方向保持相同，本发明能够使蚀刻液直接与凹槽的槽底接触，降低蚀刻液与凹槽的槽壁接触，解决了背景技术中提到的“湿法蚀刻最终得到的蚀刻区域的宽

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504682 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310734958.2 (22)申请日 2023.06.20 (71)申请人 深圳市鲁光电子科技有限公司 地址

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