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公开了用于TEM薄片制备的样品取向的方法。衬底可对准以用于离子束铣削或其他检查或处理，其通过基于来自所述衬底的电子束反向散射从所述衬底获得电子沟道图案（ECP）或其他电子束反向散射图案。所述ECP随衬底晶体取向而变化，并且与处于最大值、最小值或中点处或附近的ECP图案值相关的倾斜角被用于确定衬底倾斜。然后使用连接所述衬底的倾斜台或通过调整离子束轴来补偿或消除此倾斜。在典型的实例中，电路衬底“块”被对准以用于离子束铣削以揭示用于评估电路处理的电路特征。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110021513 A
(43)申请公布日
2019.07.16
(21)申请号 20181
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