原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111295678 A
(43)申请公布日
2020.06.16
(21)申请号 20188
文档评论（0）