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实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含:第1配线层(33);第1信号线(37);第1存储单元MC,设置在第1配线层与第1信号线之间,存储第1信息;第2至第4配线层(SG0a~SGD2a),积层在第1配线层的上方;第5至第7配线层(SG0b、CSL、及SG2b),分别在第3方向上与第2至第4配线层分开地配置;第2信号线(45),连接于第1信号线,并配置在第2配线层与第5配线层之间、第3配线层与第6配线层之间、及第4配线层与第7配线层之间;以及第3信号线(45)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111725221 A
(43)申请公布日
2020.09.29
(21)申请号 20191
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