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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明提供了一种MOSFET及其制作方法，包括：衬底，衬底的一侧具有外延层，外延层具有远离衬底的第一表面；漂移区，漂移区设置于外延层中，且漂移区具有位于第一表面中的第二表面和与第二表面相对的第三表面，漂移区具有第一掺杂类型；掺杂区，设置于外延层中并与漂移区连接，且掺杂区沿第一方向延伸至衬底，第一方向为第一表面指向衬底的方向；体区，体区与漂移区接触设置，体区、掺杂区以及衬底具有第二掺杂类型。通过引入掺杂区，并设置掺杂区与漂移区和衬底接触，进而降低表面碰撞电离强度，同时引导碰撞电离产生的空穴电流直接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504838 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202210641355.3
(22)申请日 2022.06.08
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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