原创力文档- 1
- 0
- 约2.36万字
- 约 23页
- 2023-07-29 发布于四川
- 举报
提供了一种半导体存储器件及制造半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括：多个绝缘层，其在堆叠方向上彼此间隔开；狭缝绝缘层，其穿过多个绝缘层；多个第一可变电阻层，其在堆叠方向上与多个绝缘层交替地设置；多条导线，其插置在狭缝绝缘层与多个第一可变电阻层之间，并且在堆叠方向上与多个绝缘层交替地设置；导电柱，穿过多个绝缘层和多个第一可变电阻层；以及第二可变电阻层，围绕导电柱的侧壁。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507193 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202211083829.3
(22)申请日 2022.09.06
(30)优先权数据
10-2022-0009485
文档评论（0）