半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,包括多个有源图案;以及位线,在基底上与多个有源图案中的至少一个交叉并且在第一方向上延伸。位线包括在第一方向上延伸的第一导电图案、位于第一导电图案上在第一方向上延伸的位线覆盖图案以及位于第一导电图案与位线覆盖图案之间在第一方向上延伸的石墨烯图案。第一导电图案可以包括钌(Ru)。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116507115 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202211232958.4 (22)申请日 2022.10.10 (30)优先权数据 10-2022-0007453

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