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本发明涉及一种高温高强高致密SiC/SiC复合材料及制备方法，将碳化硅晶须浆料通过真空和压力浸渍的方法，引入多孔SiC/SiC中，然后将红色树脂通过真空浸渍引到SiC/SiC‑SiCw内裂解，采用RMI完成SiC/SiC复合材料的致密化。引入SiCw填充了部分孔隙，弥补了碳硅反应无法完全填充复合材料孔隙的缺点，降低了残留硅含量。高强韧的SiCw提高复合材料基体开裂能量，增加裂纹扩展路径，提升复合材料的强韧性。单晶SiCw提高了复合材料的热导率，降低了高温下复合材料内部的温度梯度，减小了热应力对材
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115536416 A
(43)申请公布日 2022.12.30
(21)申请号 202211036337.9
(22)申请日 2022.08.28
(71)申请人 西北工业大学
地址 71007
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