JBT 8454-1996高频晶闸管.pdf

JB/T8454-1996前本标准是根据国际电工委员会IEC747-6《半导体器件第六部分晶闸管》和GB/T13151-91《大于100A反向阻断三极晶闸管空白详细规范》而制订的，并在技术内容上与该标准等效。在编写要求和表述方法上符合GB/T1.1-1993的规定。随着国内晶闸管制造技术的提高和应用领域的扩大，高频晶闸管的品种越来越多，制造、检验和应用等各方面迫切需要一个共同遵守的标准，而自前尚无，为规范高频晶闸管的产品质量，促进其技术和应用的发展，有利于贸易，特制定本标准。本标准自1997年1月1日起实施。本标准附录A·是标准的附录。本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所提出并归口。本标准起草单位：清华大学电力电子厂、辽宁省阜新市晶体管厂、湖北省襄樊市仪表元件厂。本标准主要起草人王晓彬张斌董大勇曾桃英秦贤满 中华人民共和国机械行业标准JB/T8454—1996高频晶闸管1A范围本标准适用于按管壳额定通态平均电流Ir(AV)≥5A，可以在fm≥10kHz频率下工作的反向阻断三极品闸管（以下简称高频晶闸管）。本标准规定了高频晶闸管的型式尺寸、额定值和特性、检验规则、标志和包装等技术要求。2引用标准下列标准包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB4937-85半导体分立器件机械和气候试验方法GB4938-85半导体分立器件接收和可靠性GB7581-87半导体分立器件外形尺寸JB/T4277—86电力半导体器件包装技术条件JB/T7626-94反向阻断三极晶闸管测试方法3型式尺寸3.1型号高频晶闸管的型号应符合图1的规定。KAXXXXXX字母数字器件规格序号对应的工作频率级别（按表8）断态主电压级数（按表4）额定频率下通态平均电流值（单位：A）表示“高频”表示“晶闸管”图1高频晶闸管的型号3.2电气图形符号和端子识别高频晶闸管电气图形应符合图2的规定。机械工业部1996—0903批准1997—01—01实施64 JB/T8454-1996表12（完）抽样方案验项目检验方法合格判据序号分组检C注：1 B3、B4试验可用电特性不良的试验样品：A组、C1、C2a、C2b和C2c分组试验后的样品可用于其它试验项目。2抽样方案的抽样数n：方括号中的数字为Ir(Av)大于50A的抽样数（下同）。表13C组检验验方抽样方案检序号分组验项目合格判据JB/T7626nC1尺寸检查图3、图4或图5全部尺寸符合表1、表2或表3的规定T972.4，Vp=12V、门极电路无R、触发电流脉冲：t0.5μs、twc=100μs、50Hz、符合表10规定18C2a10V、60或80117H2.5,25℃,Vp=12V符合表10规定符合表9规定，试后测量：13C2cITSM4.3，T-9℃、20次、一个周波3同C4[6]18C2b3.2符合表10规定11]2.8，负载电阻满足：18VCD符合表10规定ITsM限流电流IL11186PGM4.6符合表9规定111187PG(AV)4.7符合表9规定[11]188VRGM4.8符合表9规定[11]符合表9规定，试后测量：189di/dt4.5，持续时间60s同C4[11]GB4937的2.2.2（Tb）耐焊接热（仅适用1810焊接温度260℃±5℃、浸润时间10s士1s、于焊接端子器件）试后测量：[6]恢复时间≥1hGB4938的3.2，电耐久性VTM1.1USL8111000±8h、Tm-9C正弦波50Hz，IRRM2USL[6]（交流阻断）70%VDRM、70%VRRMGB4937的3.2，IDRM2USL12C9高温贮存10008h、Tog-gC6713CRRL放行批确认记录简要给出各分组的有关属性数据，试验前后的VTM、IRRM、IDRM值和试验结论注：1周期检验如第一次抽样检验不合格，可按附录A采用追加抽样的办法再进行一次检验，但只能追加一次。2It(AV)≥50A的抽样方案为n=3，c=1。 JB/T8454-19965.3鉴定试验（D组试验）产品定型投产鉴定时，除必须作A、B、C组检验外，还应按表14作D组试验。已定型的正常生产批量产品，每三年至少应作一批D组试验。表14 D组试验试验方法抽样方案序号分组试验项目合格判据JB/T7626试后测量：JB/T7626的5循环次数：热循环负载试验VTM1.1USLD2焊接器件1000次8IRRM2USL压接器件5000次[6]IDRM2USLGB4937的2.4(Ea)：试后测量：100g、持续6ms、半正弦波形、三个相互垂VTM1.1USL2D3冲击（D）或振动直的方向，每方向三次，共18次；8L6IRRM2USLGB4937的2.3（