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第43 卷 第7 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.43 No.7 Apr.5, 2023
2023 年4 月5 日 Proceedings of the CSEE ©2023 Chin.Soc.for Elec.Eng. 2781
DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.221156 文章编号：0258-8013 (2023) 07-2781-09 中图分类号：TM 46 文献标识码：A
基于换流–短路双回路解耦的 SiC MOSFET
功率器件抗短路封装构型设计
*
罗皓泽，高洪艺，朱安康，金昱廷，李武华 ，何湘宁
(浙江大学电气工程学院，浙江省 杭州市 310027)
Anti-short-circuit Packaging Structure of SiC MOSFET Power Device With
Commutation-short Circuit Path Decoupling
*
LUO Haoze, GAO Hongyi, ZHU Ankang, JIN Yuting, LI Wuhua , HE Xiangning
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, Zhejiang Province, China)
ABSTRACT: Due to poor gate oxide reliability, high short heat generation during the short-circuit process by 30.04%,
circuit current density and junction temperature rising rate, the which validates its certain anti-short-circuit capability.
short circuit withstand capability of SiC MOSFET power
KEY WORDS: commutation-short-circuit path decoupling;
device is weak, which limits its wide application in the field of
short circuit inductance; short circuit suppression
electric energy conversion. In this context, to improve the short
摘要：由于栅极氧化层可靠性差、短路电流密度大以及短路
circuit withstand capability of SiC MOSFET power device, this
一级建造师持证人
专注于一、二级建造师、监理工程师考试辅导。现取得一级建造师（水利、建筑）、二级建造师（市政、机电）、监理工程师（土木工程、水利工程、交通工程）、中级注册安全工程师等证书。
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