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第 43 卷 第 6 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.43 No.6 Mar. 20, 2023
2392 2023 年 3 月 20 日 Proceedings of the CSEE ©2023 Chin.Soc.for Elec.Eng.
DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.212815 文章编号：0258-8013 (2023) 06-2392-12 中图分类号：TM 46 文献标识码：A
基于多层级模拟的压接型 IGBT 器件
短路失效机理分析
1 1 1* 1 1 2
李辉 ，余越 ，姚然 ，赖伟 ，向学位 ，李金元
(1．输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) ，重庆市 沙坪坝区 400044 ；
2．全球能源互联网研究院有限公司，北京市 昌平区 102209)
Study on the Short Circuit Failure Mechanism of Press Pack IGBT Device Based on
Multi-level Simulation
1 1 1* 1 1 2
LI Hui , YU Yue , YAO Ran , LAI Wei , XIANG Xuewei , LI Jinyuan
(1. State Key Laboratory of Power Transmission Equipment System Security and New Technology (Chongqing University),
Shapingba District, Chongqing 400044, China;
2. Global Energy Interconnection Research Institute Co., Ltd., Changping District, Beijing 102209, China)
ABSTRACT: Press pack insulated gate bipolar transistor prone to fail under short circuit conditions. The failure of
(PP-IGBT) device is widely used in HVDC converter valves aluminum and silicon materials is the direct cause of short
for the advantages of high power density and short circuit circuit failure of PP-IGBT device.
failure. Current research on short circuit failure of PP-IGBT KEY WORDS: press pack insulated gate bipolar transistor
device is mainly based
一级建造师持证人
专注于一、二级建造师、监理工程师考试辅导。现取得一级建造师（水利、建筑）、二级建造师（市政、机电）、监理工程师（土木工程、水利工程、交通工程）、中级注册安全工程师等证书。
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