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一种场效应管.pdfVIP

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  • 2023-07-31 发布于四川
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一种场效应管.pdf

    本实用新型公开了一种场效应管，通过将场效应管中的阱区分离开来，并在相邻两个阱区之间的区域不进行离子注入而选择在其上部通过生长金属来制备肖特基接触，使周边阱区和外延形成的PN结与肖特基接触共同组成一个结势垒肖特基二极管，并且在使用过程中通过使这个结势垒肖特基二极管替代器件自身的寄生PIN二极管或在外部反并联使用的外部快恢复二极管，使得器件具有更低的导通压降，更低的功率损耗及更快的工作效率，也降低了工业成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209947846 U (45)授权公告日 2020.01.14 (21)申请号 20192

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