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第9章 半导体存储器 半导体存储器（简称存储器）是存储大量二进制数据的逻辑部件。它是数字系统，特别是计算机，不可缺少的组成部分。 存储器的容量越大，计算机的处理能力越强，工作速度越快。因此，存储器采用先进的大规模集成电路技术制造，尽可能地提高存储器的容量。 本章介绍常用的半导体存储器的结构、工作原理和使用方法。 9.1 半导体存储器基础9.2 随机存取存储器（RAM）9.3 只读存储器（ROM）9.4 闪存（Flash Memories）9.5 存储器容量的扩展第9章 半导体存储器 9.1 半导体存储器基础1. 半导体存储器的结构框图 存储1或0的电路称为存储单元，存储单元的集合形成存储阵列（通常按行列排成矩阵）。 字:存储阵列中二进制数据的信息单位（与计算机不同！）。 最小的信息单位是1位（Bit），8位二进制信息称为1个字节(Byte)，4位二进制信息则称为1个半字节(Nibble)。存储器由寻址电路、存储阵列和读写电路组成。 为便于对每个字进行必要的操作，存储阵列按字组织成直观的存储结构图。例如，64位存储阵列：8字×8位， 16字×4位， 64字×1位。 字地址位地址位地址字地址位地址字地址 每个存储单元的位置由行序号和列序号唯一确定。每个字的行序号称为它的地址，用二进制码表示（An-1…A1A0）；列序号表示二进制位在每个字中的位置。例如，按4位组织的、地址为14的字存储单元的信息是1110。 存储单元的总数定义为存储器的容量，它等于存储器的字数和每字位数之积。 例如，10位地址码，每字8位，则存储容量为 210 Bytes =1024Bytes=1kB=8kbits。 1MB=220B １GB=230B 读操作（取数操作）：输入An-1…A1A0，寻址电路将地址码转换成字线上的有效电平选中字存储单元。在片选信号CS有效和读写信号为高电平时，读写电路通过存储阵列的位线，将选中的字存储单元的m位数据输出到数据总线上Ｄｍ-1…Ｄ1Ｄ0。 写操作（存数操作）：输入An-1…A1A0，寻址电路将地址转换成字线上的有效电平选中字存储单元。在片选信号CS有效和读写信号为低电平时，读写电路通过存储阵列的位线将数据总线上的m位数据Ｄｍ-1…Ｄ1Ｄ0写入选中的字存储单元中保存。存储器具有2种基本的操作：写操作和读操作。 在复杂的数字系统（例如数字计算机）中，多个功能电路间利用一组公共的信号线（导线或其他传导介质）实现互连，并分时传输信息，这样的一组信号线称为总线。 在存储器中，数据总线Ｄｍ-1…Ｄ1Ｄ0是双向总线（输入/输出，常用表示I/Om-1，…，I/O1，I/O0）； 地址总线An-1…A1A0和控制总线（CS， ）则是单向总线（输入）。 在存储器内部，属于同一位的存储单元共用位线，阵列中的存储单元通过位线与读写电路交换数据。 2.半导体存储器的分类 随机读写存储器的写操作时间和读操作时间相当（都是纳秒级），工作时能够随时快速地读出或写入数据。即工作时读写存储器具有存入和取出数据2种功能。 工作时只能快速地读取已存储的数据、而不能快速地随时写入新数据的存储器称为只读存储器（ROM—Read Only Memory）。 闪存（Flash Memory）工作时可以进行读或写操作，但闪存的每个存储单元写操作时间长，不能随机写入数据，适合对众多存储单元批量地写入数据。 按功能，存储器分为只读存储器、随机读写存储器（或称为存取存储器）和闪存。 只读存储器的写操作时间(毫秒级)远比读操作时间（纳秒级）长，数据必须在工作前写入存储器，上电工作后只能从存储器中读出数据，才不影响数字系统的工作速度。 按寻址方式，存储器分为顺序寻址存储器和随机寻址存储器。 顺序寻址存储器是按地址顺序存入或读出数据，其存储阵列的存储单元连接成移位寄存器。有先进先出（FIFO—First In First Out）和先进后出（FILO-- First In Last Out）2种顺序寻址存储器。 随机寻址存储器:可以随时从任何一个指定地址写入或读出数据的存储器。随机寻址存储器的寻址电路通常采用1个或2个译码器。 采用随机寻址方式的随机读写存储器称为随机存取存储器（RAM—Random Access Memory）。只读存储器（ROM）和闪存也采用随机寻址方式。 存储器还可分为易失型存储器和非易失型存储器。如果掉电（