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- 2023-07-31 发布于四川
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本实用新型提供一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si1‑xGex基区层、N型掺杂单晶硅发射区帽层和N型重掺杂多晶硅发射区层，N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和基区电极接触台面，N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面，台面结构表面覆盖有氧化层，电极窗口形成有对应金属电极，基区电极接触区域里沉积有P型重
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209947843 U
(45)授权公告日
2020.01.14
(21)申请号 20192
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