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一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法.pdf

    本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法。所述结构包括：用于固定籽晶的吊杆；用于放置助溶液的內坩埚；用于控制內坩埚高度的石墨环；用于防止内坩埚腐蚀泄露的外坩埚；可提供保温的硬石墨毡盖及软毡；可束缚软毡和支撑热场结构的石英管。所述方法为：将盛放在坩埚内的硅和助熔剂在高温下熔化成有一定碳溶解度的助溶液；使籽晶下降至液面处开始碳化硅晶体的生长；在摆放装置前通过设计一定高度的石墨环控制助溶液高温区的位置，保证低温区在籽晶附近。本发明可使得碳化硅晶体生长过程中仅籽晶处位于相对低温的区域，石墨环的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516463 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310340700.4 (22)申请日 2023.04.03 (71)申请人 天津理工大学 地址 300384

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