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本发明提供一种提高掩模版图形关键尺寸均匀性的方法，包括提供衬底基板，该衬底基板为热敏石英；在衬底基板上形成透明介质，该透明介质的折射率随温度变化；通过光刻工艺曝光形成芯片图形。本发明使用热敏石英作为掩模版衬底，衬底介质采用折射率随温度变化的透明介质，使得当掩模版温度发生变化，产生膨胀时，可以实现对膨胀后光路变化进行补偿，使其依然保持原始的路径，实现曝光光路保持不变，CD尺寸也不会发生变化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116520635 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310475146.0
(22)申请日 2023.04.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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