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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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半导体装置.pdf

    一种半导体装置，包含：半导体层；第一导电型的第一区域，其形成于所述半导体层的第一主面的表层部；单元构造，其具有形成于所述第一区域的表层部的第二导电型的第二区域、以与所述第二区域相接的方式形成于所述第一区域的表层部的第一导电型的第三区域、以及隔着与所述第二区域相邻的第一绝缘膜与所述第二区域对置，并在所述第二区域形成电流路径的控制电极；第一电极层，其以覆盖所述单元构造的方式形成于所述半导体层的所述第一主面上，并与所述第三区域电连接；第二电极层，其与所述第一电极层分离地形成于所述半导体层的所述第一主面

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116529877 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202180079938.5 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限

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