基于二维材料存储时长可调的浮栅存储器及其制备工艺.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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基于二维材料存储时长可调的浮栅存储器及其制备工艺.pdf

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本发明公开了一种基于二维材料存储时长可调的浮栅存储器及其制备工艺，包括：P型掺杂硅衬底；氧化硅阻挡层，固定于P型掺杂硅衬底；若干组刻蚀所得石墨烯层，呈特定密度生长固定于氧化硅阻挡层；氧化铝种子层，对应蒸镀固定于若干组刻蚀所得石墨烯层；氧化铪隧穿层，固定于氧化铝种子层；单层二硫化钼沟道，固定于氧化铪隧穿层，且单层二硫化钼沟道固定有源漏电极。解决了由于现有浮栅存储器件通过调控其栅极脉冲电压大小或数量来实现存储时长切换而导致的在进行神经形态计算时，对浮栅存储器件的操作次数急剧增加，使得计算的功耗不断升

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525457 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310413775.0 H01L 21/441 (2006.01)