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GaN FinFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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GaN FinFET器件及其制备方法.pdf

    本发明提供一种GaNFinFET器件及其制备方法，在所述栅指的外围形成所述P型NiO层，使得所述P型NiO层与所述GaN沟道层在接触界面处形成耗尽区，以缩短所述栅指的有效宽度，从而通过电荷控制，使载流子远离被刻蚀的所述栅指的侧壁，避免了所述栅指的侧壁造成的载流子散射，同时在原有所述栅指的物理尺寸的基础上进一步缩减了所述栅指的有效宽度，从而使得GaNFinFET器件在工艺上、结构上和性能上均得以优化提升。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525451 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310645611.0 (22)申请日 2023.06.01 (71)申请人 浙江大学 地址 310058

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