一种多层化SOI基板的制备方法及SOI基板.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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一种多层化SOI基板的制备方法及SOI基板.pdf

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本申请适用于硅片的制备技术领域，提供了一种多层化SOI基板的制备方法及SOI基板，该制备方法包括：将清洗后的硅片安装到设备中；3C‑SiC层生长步骤：向设备中持续通入第一预设气体，当温度达到第一预设温度时，通入第二预设气体，在硅片表面形成3C‑SiC层，进行退火；第一预设气体为保护气体，第二预设气体中包含甲烷或乙炔中的至少一种气体；单晶Si层生长步骤：停止通入第一和第二预设气体，升温至第三预设温度并通入第三预设气体，在3C‑SiC层上生长单晶Si层后，停止通入第三预设气体；重复3C‑SiC层生长

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525535 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310686800.2 (22)申请日 2023.06.09 (71)申请人中电科先进材料技术创新有限公司地