1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

III族氮化物基半导体材料及其制作方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约2.44万字
  • 约 16页
  • 2023-08-02 发布于四川
  • 举报

III族氮化物基半导体材料及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种III族氮化物基半导体材料及其制作方法。所述制作方法包括：在反应室内设置III族氮化物刻蚀准备层；向所述反应室内输入卤素基源对III族氮化物刻蚀准备层的表面进行原位处理，以使所述III族氮化物刻蚀准备层表面附近产生多个III族阳离子空位缺陷；向所述反应室内输入氮源和金属源，在原位处理后的III族氮化物刻蚀准备层表面生长形成III族氮化物半导体材料层。本发明实施例提供的一种III族氮化物基半导体材料的制作方法，工艺简单，重复可控，完全适合大规模生产，采用卤素基源进行原位表面处理，可

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525407 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202210066938.8 H01L 31/0304 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >