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- 2023-08-02 发布于四川
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本发明提供了一种超级结器件及其制造方法,所述超级结器件包括衬底及设置于衬底上的第一导电类型外延层,所述第一导电类型外延层内设置有沟槽栅结构,沟槽栅结构周围的第一导电类型外延层内设置有体区;所述第一导电类型外延层内设置有多个贯穿体区的超级结沟槽,所述超级结沟槽内设置有第二导电类型外延层,以构成所述超级结器件的超级结;所述超级结沟槽的侧壁顶部设置有隔离侧墙,用于隔离所述第二导电类型外延层和所述体区。本发明通过在超级结沟槽的侧壁顶部设置隔离侧墙,实现了第二导电类型外延层和体区之间的电学隔离,简化了超级
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525436 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310471136.X
(22)申请日 2023.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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