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本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525431 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310058506.7
(22)申请日 2023.01.17
(30)优先权数据
2022-013135 202
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