SJ_T 11627-2016太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法.pdf

ICS 77.040H21SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11627—2016太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法Online test methods for resistivity of silicon wafers for solar cell2016-09-01实施2016-04-05发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11627—2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、中电投西安太阳能电力有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司。本标准主要起草人：孟丹、贺东江、王海方、薛抗美、徐自亮、黄黎、吕喜臣、高树良。 SJ/T116272016太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法1范围本标准规定了太阳能电池用硅片电阻率在线测试的方法。本标准适用于测试边长大于25mm、厚度为0.1mm～0.5mm的太阳能电池用硅片（简称硅片）的电阻率。测试范围为1.0×10^3α·cm～2×10°2·cm。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T14264半导体材料术语GB/T26071太阳能电池用硅单晶切割片GB/T29055太阳电池用多晶硅片3术语和定义GB/T6616、GB/T14264、GB/T26071和GB/T29055界定的术语和定义适用于本文件。4方法提要硅片电阻率在线测试宜采用非接触涡流法。通过传送装置，硅片被传送到测试装置，硅片平插入共轴涡流探头之间的间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流，则激励电流值的变化是硅片电导的函数。通过测试激励电流的变化即可测得试样的电导。通过测厚仪实时测试电阻率测试区域的硅片厚度，从而计算出对应的电阻率。5干扰因素5.1GB/T6616规定的所有干扰因素都适用于本标准。5.2传送装置的速度若非匀速会导致电阻率测试结果发生偏差。5.3传送装置的振动幅度对电阻率测试有直接的影响。5.4传送装置若有多个传送部分，则各部分速度应保持一致，否则会造成硅片偏转，影响测试。5.5硅片水平位置的变化会导致测试点的变化，从而导致电阻率测试结果发生偏差。5.6硅片中存在高密度晶界时，可能会导致测试的电阻率结果偏高，需要提高测试探头内部交流电线圈的频率进行测试，参见附录A。6仪器设备1 SJ/T11627—20166.1概述测试设备由自动化平台、电阻率测试装置和计算机系统组成，如图1所示。6.2自动化平台6.2.1自动化平台由发送装置、传送装置、位置传感器及接收装置组成。6.2.2发送装置，用于加载待测硅片，加载速度可根据测试模组的要求进行调节。发送装置应配有定位装置，保证加载硅片时硅片水平位置准确性优于1mm，角度准确性优于0.3°。6.2.3传送装置，所有硅片均由传送装置支撑并传送，传送装置的振动幅度应小于200μm。6.2.4位置传感器，用于触发传动及测试，定位准确性应优于200μm。6.2.5接收装置，根据设定的分档规则对硅片进行分类按收ANDINRORMATNON计算机系统INDUSTRY电阻率测试装置接收装置发送装置试模组4传送装置CHNOLOG测厚仪图1测试仪器示意图VL6.3电阻率测试装置一6.3.1测厚仪，实时测试电阻离测试区域的硅片厚度。同物放6.3.2测试模组，测试探头成对使使用分别位样品上方和下置轴线垂直于硅片所在平面。6.4计算机系统计算机系统用于自动化平台的动作控制、数据采集、存储及分析。7试样试样为干燥、清洁的硅片。8测试环境除另有规定外，应在下列条件中进行测试：温度：20℃～25℃；a)2 SJ/T11627—2016相对湿度：≤65%；b)洁净度：8级洁净室以上；c)测试环境应进行电磁屏蔽，避免与大功率设备共用电源，且电源应有滤波功能，防止高频干扰；d)仪器预热20min以上，待标准片及硅片试样温度与环境温度平衡后方可进行测量。e)9仪器校准选取硅片电阻率标样时，应保证其电阻率标称值与待测硅片电阻率范围的中间值相当。9.19.2校准时探头应准确置于标样标定数值的校准点上。测试该标样标定校准点的电阻率，偏差应小于1%，若超出偏差应对仪器进行调试并重新校准