SJT 11396-2009氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片.pdf

ICS 29. 045H83备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11396—2009氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片The sapphire substrates for nitride based light-emitting diode2010-01-01实施2009-11-17 发布SJ中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T.11396-2009本标准的附录A和附录B为规范性附录，附录C、附录D、、附录E和附录F为资料性附录本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本标准由半导休照明技术标准工作组组织起草。，本标准起草单位：深圳市淼浩高新科技开发有限公司工业和信息化部电子工业标准化研究所5.--3本标准主要起草人：李明远、陈盈君、肖爱琴爱2010 SJ/T11396--2009氮化基发光三极管蓝宝石衬底片范围1本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则标志、包装运输和贮存等内容。本标准适用于制备半导体发光二极管的外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片（以下简称衬底片”）。.2规范性引用文件其随后的修改下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注白期的引用文件囍“单（不包括勘误的内容）或修订叛均不适用于本标准。然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否二F可使用这些文件的最新版本凡是不注白期的引用文件，其最新版木适用手本标准I：GB/T1031—1995表面粗糙度‘参数及其数值M.GB/T1554—1995，硅晶体元整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半享体单晶晶向测定方法计数描样检验程序。GB/T 2828.1--2003检索的逐批检验抽样第1部分：按接收质量限(AQL).划GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方GB/T6619硅片弯曲度测试方法硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620三硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621.GB/T 6624硅抛光片表面质量目测检验方法半导体材料术语GB/T 14264--1993半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则SJ 20744—1999:I3术语、定义和符号GB/T14264-1993确立的术语和定义适用手本标准。4＇要求4.1化学组成为高纯的α-A1203，总杂质含量应小于1×10。4.2，结晶完整性要求在所有直径范围内都是单晶，位错应小于10°个每平方厘米，双晶摇摆曲线的半峰值宽（FWHM）应小于1’。、、4.3．制备衬底片所使用的蓝宝石单晶的生长方法按合同双方的规定、4.4：表面取向和参考面取向应符合表1的规定。 -:.-1 SJ/T11396---2009表面取2L?C表面取向(0001)1120±011102C轴在1120）面上的A面.. .投影逆时针旋转(1120）±(参考面取向或M面45°±0.5成RTn（见附录A）(1010）±0.5102.5参考面尺寸应符合表2。装表2参考面尺寸单位为毫米衬底直径5081003175-~-33.5 3S参考面长度15-1721234.6外形尺寸及偏差应符合表3要求。外形尺寸及偏差单位为毫米表3!76:20±0/25100.00±1:0050.80 ±0,1直径07330±0.0250.330±0. 025:0. 525±0. 025中心点厚度或 0.430±0.025或0.430±0.025≤0.04≤0:01n.n弯曲度翘曲度≤0.04.0. 01≤0.05总厚度变化≤0.01，表面平整度规格应符合表4要求E07.1T等级匕整度，（最大值）1410人准M: SJ/T-11396--2009缺陷的最大充许值最大允许值项目检验方法本规范5.9，光照度：.≥600:1x:划伤无本规范5.9，50倍显微镜弦长款1 mm以无弦长为0.38mm1mm的3个期边弦长为0.38mm以下的不计-: :.---.本规范5.9光照度：≥6001x无凹坑桔皮无本规范5.9；.200倍显微镜S本规范5.9，光照度：≥6001x、裂纹、裂痕无雾本规范5.9，光照度≥600:1xX本规范5.9，50倍显微镜边缘凸起无力s本规范5.9，光照度：≥6001x沾污、指纹3背面粗糙度在所有直径范围内均为0.4.μm~1.0um4.10背面不允许有裂纹和活污，崩边的限度同表面，背面划伤长度不能大1.4晶片直径4.112晶体完整性的标准参见附录 B。4.124.13：常选用的测量位置参见附录℃。4.14~表面质量示意图参见附录D。4.15蓝宝石结晶学图参见附录E。特殊技术要求由供需双方商定。4:16真5检验方法t.P食5.1总杂质含量参照.SJ20744-1999进行测定。5.2表面取向和参考面取向参照GB/T1555进行测定。5.3几何尺寸用精度为0.001mm的量具测量。：5.