一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构.pdfVIP

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2023-08-03 发布于四川
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一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构.pdf

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本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构，超结器件单元包括第一导电类型第一外延层及第一导电类型衬底，在第一导电类型第一外延层上设有第一导电类型第二外延层，第一导电类型第二外延层内设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型柱，第二导电类型柱从第二导电类型体区底部穿过第一导电类型第二外延层延伸至第一导电类型第一外延层内，且第二导电类型柱深入到第一导电类型第一外延层内的深度不超过5μm；本实用新型通过外延工艺，生长两种不同电阻率的外延层，通过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209981223 U (45)授权公告日 2020.01.21 (21)申请号 20192