单晶硅及其杂质和缺陷.pptVIP

单晶硅及其杂质和缺陷;主要内容：; 硅材料是目前世界上最主要的元素半导体材料，在半导体工业中广泛应用，是电子工业的基础材料。硅是地壳中最丰富的元素之一，仅次于氧，在地壳中达到26%左右，但自然界中没有游离态的单质硅存在，一般以氧化物的形式存在。;性 质;室温下 稳定,与空气,水,硫酸(H2SO4),硝酸(HNO3)不反应，但是,与氟,氢氟酸,强碱反应 高温下 活性大，与O2 ，水，卤族(第七族)，卤化氢，碳….反应，自然界中没有游离态的单质硅存在，一般以氧化物的形式存在。;特殊的物化性质： 熔化时体积缩小，固化时体积增大。 硬度高，脆性大，易破碎，室温下没有延展性，为脆性材料。 温度大于750℃时，转变为塑性材料，外加压力，可以进行塑性变形。;硅的晶体结构：;; 金刚石结构可以看作有两套面心立方晶体结构的原子，沿对角线方向移动1/4对角线长度而构成，如右图所示。显然在晶胞的8个顶点上和6个面心上都有硅原子，在晶体的内部另有4个硅原子，位于晶胞对角线离顶点1/4距离处。晶格常数a=5.4395A。;4.2 太阳能电池用硅材料;4.3 高纯多晶硅(8个9至9个9)的制备;采用化学提纯的方法对粗硅进行提纯。化学提纯是指通过化学反应，将硅转化为中间化合物，再用蒸馏等技术提纯中间化合物，使之达到高纯度；然后再将中间化合物还原成硅，此时高纯硅为多晶状态。;三氯氢硅氢还原法(西门子法);SiHCl3氢还原: SiHCl3+H2 →Si+3HCL (SiHCl3:H2=1: 10~20mol) 4SiHCl3=Si+3SiCl4+2H2 SiCl4+ 2H2 =Si +4HCl 反应结束,制得高纯多晶硅;4.3.2 硅烷热分解法;硅烷的热分解： 温度:850℃ SiH4=Si+2H2 ;4.3.3 四氯化硅氢还原法;4.4 太阳能电池级多晶硅的制备; 粗硅提纯直接制备太阳能电池级硅的方法主要有以下三种：;4.5 区熔单晶硅;采用区域熔炼的原理;以高纯多晶硅为原料，将多晶硅制成棒状，垂直固定。 多晶硅棒下端放置一定晶向的单晶硅，作为单晶生长的籽晶。 在真空或保护性气体下，利用高频感应线圈加热多晶硅棒，是多晶硅棒的部分区域形成熔区，并依靠熔区的表面张力保持多晶硅的平衡。 晶体生长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开始，多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相???方向的运动，熔区从下端沿着多晶硅棒缓慢向上移动，使多晶硅逐渐转变为单晶硅。;所用高纯多晶硅棒，在单晶生长之前，用金刚石机械滚磨的方法将直径控制在一定尺寸，然后进行化学腐蚀，去除表面的机械损伤和可能的金属污染。;4.6 直拉单晶硅;原理：直拉单晶生长法是把原料多晶Si块放入石英坩埚中,在单晶炉中加热熔化,待温度稳定后,将一根棒状晶种浸入熔体中,在合适的温度梯度下,熔液中的Si原子会顺着晶种的Si原子排列结构在固-液交界面上形成规则的结晶,成为单晶体。晶种旋转并慢速向上提升,熔液中的Si原子会在固液界面上继续结晶,并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定,则可以持续不断地形成结晶,最后形成一根圆柱型的原子排列整齐的Si单晶体,即Si单晶棒。;工艺过程：书88页图4.10;2 种晶;3 缩颈;4 放肩;5 等径;6 收尾;什么样的温度控制才能生长单晶？——根据晶体生长理论来进行设计;4.6.2 新型直拉单晶硅的生长技术;(1)有效降低和控制氧浓度 氧浓度问题是研究磁场法的出发点。由于磁场能有效抑制熔硅的热对流，改变磁场强度又可控制熔硅的热对流，于是控制了熔硅与石英坩埚的反应速率，因而控制了来自石英坩埚中的氧，使得MCZ硅中的氧合量只有CZ硅的十分之一，而且可以控制。 (2)获得无生长条纹的晶体 加磁场使熔硅的粘度增加，阴碍了熔硅的流动，因而大大减弱了机械振动所引起的熔硅液的抖动，热对流的抑制又大大减小了熔硅的温度波动，使液面极为平静，因而可拉制无生长条纹的晶体。;2 重装料直拉单晶硅;3 连续加料直拉单晶硅;4 太阳能用直拉三晶硅晶体生长;4.6.3 直拉单晶硅的掺杂;K01时，意味着晶体生长时，杂质在固体中的浓度始终要小于在熔体中的浓度，杂质在熔体中富集，最终导致单晶硅棒尾部的杂质含量高于晶体的头部。;有效分凝系数：;2 硅晶体的掺杂浓度;4.7 硅晶片加工;第5章 单晶硅中的杂质和位错;5.1 直拉单晶硅中的氧;氧浓度的影响因素：;5.1.2 氧热施主（实验观察）;温度影响：;5.1.3 氧沉淀;温度的影响：; 对于太阳能电池用直拉单晶硅来说，与集成电路需要经历的数十道甚至更多的热处理工艺不同，工艺十分简单，热处理工艺很少。另外，太阳电池用直拉单晶硅拉晶速度快，冷却速度也快，和坩埚接触时间短，所以氧杂质相对也较少。 因此，氧热施