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一种采用P埋层工艺制作集成IGBT器件.pdf

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    本实用新型公开的采用P埋层工艺制作集成IGBT器件，包括，P底衬、下隔离一(P埋层)、N+埋层、N外延、硼桥、上隔离、下隔离、外岛，所述P底衬上端设置有N+埋层，所述N+埋层上端设置有下隔离一(P埋层)，所述下隔离一(P埋层)上端设置有N外延，所述下隔离一(P埋层)的上端位于N外延的两边设置有硼桥，所述N+埋层的侧面设置有下隔离，所述N外延两边设置有上隔离，所述N外延上端设置有多晶硅。本实用新型在标准双极电路中上下对通隔离工艺的基础上，同步形成P埋层，以及上隔离硼扩散时，把P埋层通过硼桥引出表面

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209993601 U (45)授权公告日 2020.01.24 (21)申请号 20192

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