4.3英寸碳纳米管场发射平面光源器件技术研究的开题报告.docxVIP

4.3英寸碳纳米管场发射平面光源器件技术研究的开题报告 一、选题背景与意义 碳纳米管（Carbon Nanotubes，CNTs）是一种由碳原子构成的纳米管状物质，具有优异的力学、热学和电学性质，因此在领域中受到广泛关注。其中，碳纳米管场发射（Field Emission，FE）技术由于其具有高亮度、长寿命、快速响应时间和低功耗等优点，成为了平面显示、电子束刻画等领域中的重要技术之一。 目前，常规的碳纳米管场发射器件多采用的是纳米线状、纳米树形等三维结构的薄膜，因其具有较大的表面积，能在较低的电场下实现较高的发射电流密度。但三维结构的制备工艺难度大、成本高，同时容易对阴极。近年来，研究人员开始探索将碳纳米管生长在平板上制备平面光源器件，并取得了一定的进展。但目前的研究主要集中在小面积和低发射电流密度的器件上，较少针对大面积和高发射电流密度实现的研究。 因此，在学科交叉背景下，设计制备大面积、高亮度碳纳米管平面光源器件，具有重要的科学意义和应用价值。 二、研究内容和方法 本研究拟设计制备4.3英寸碳纳米管场发射平面光源器件，并探究其发射性能。具体研究内容如下： 1. 碳纳米管生长方法的优化。采用化学气相沉积技术，在硅基底上控制碳纳米管的生长方向和尺寸分布，并探究控制生长过程中反应气体比例、反应时间等参数对碳纳米管生长和发射性能的影响； 2. 平板阴极的制备及优化。研究不同形式的平板阴极制备工艺，寻找合适的阴极材料和制备方法，以提高平板阴极的导电性和低阴极功函数，从而促进碳纳米管的场发射； 3. 制备大面积空气稳定的碳纳米管平板光源。将碳纳米管与平板阴极相结合，采用局部纳米印刷、激光电子束蒸发等技术，制备大面积排列整齐、稳定性能的碳纳米管平板光源； 4. 光源表征及性能测试。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱和光电子能谱等手段对制备得到的碳纳米管平板光源进行表征，并测试其场发射性能以及稳定性能。 三、预期成果与创新点 预期成果： 1. 成功制备出大面积、高亮度碳纳米管平面光源，实现较高的场发射电流密度； 2. 对碳纳米管生长方法和平板阴极制备方法进行了优化和改进，并提出了一系列的技术方案； 3. 对碳纳米管场发射平面光源的制备工艺进行了全面的研究和分析，探究其发射机理和稳定性能； 4. 初步探索了碳纳米管场发射平面光源器件的应用前景。 创新点： 1. 首次研究4.3英寸碳纳米管场发射平面光源器件制备技术，填补了该领域在大面积和高亮度方面的空白； 2. 对碳纳米管生长和阴极制备进行了优化改进，提高了碳纳米管场发射的效率和稳定性； 3. 采用局部纳米印刷、激光电子束蒸发等技术，实现了大面积排列整齐的碳纳米管平板光源制备； 4. 对碳纳米管场发射平面光源的稳定性能进行深入研究，为其在平面显示和电子束刻画等领域的应用提供了新思路。