晶体三极管的伏安特性曲线.pptxVIP

晶体三极管的伏安特性曲线一、输入特性曲线 输入特性是指三极管输入回路中,加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。(1)UCE = 0时相当于集电极与发射极短路,此时,IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。 因为此时JE和JC均正偏,IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 输入特性曲线簇(2)UCE≥1V即:给集电结加上固定的反向电压,集电结的吸引力加强！使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时,在相同的UBE值条件下,流向基极的电流IB减小,即特性曲线右移, 总之,晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,因为b、e间是正向偏置的PN结(放大模式下)mA?AV1、3、4 特性曲线ICIBECVRBUCEUBEEB 实验线路UCE=0VUCE =0.5VIB(?A)UCE ?1BE(V)0.40.8一、输入特性工作压降: 硅管UBE?0、6~0、7V,锗管UBE?0、2~0、3V。 死区电压,硅管0、5V,锗管0、2V。二、输出特性曲线 输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下,三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。 现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时,Ic和UCE间的关系: 即Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测的输出特性曲线如图所示:依照外加电压的不同,整个曲线可划分为四个区: 放大区、截止区、饱和区、击穿区100?A312UCE(V)69480?A360?A40?A220?A1IB=0二、输出特性 当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=?IB。IC(mA )此区域满足IC=?IB称为线性区(放大区)。100?AIC(mA )312UCE(V)69480?A360?A40?A220?A1IB=0此区域中UCE?UBE,集电结正偏,?IBIC,UCE?0、3V称为饱和区。100?AIC(mA )312UCE(V)69480?A360?A40?A220?A1IB=0此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压,称为截止区。输出特性曲线簇输出特性三个区域的特点:放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE?UBE , ?IBIC,UCE?0、3V (3) 截止区: UBE 死区电压, IB=0 , IC=ICEO ?0 1、截止区: 晶体管工作在截止模式下,有: UBE0、7V,UBC0 因此: IB ≤ 0,IE = IC = 0 结论: 发射结Je反向偏置时,晶体管是截止的。2、放大区晶体管工作在放大模式下 : UBE 0、7V, UBC 0,此时特性曲线表现为近似水平的部分,而且变化均匀,它有两个特点: ① Ic的大小受IB的控制;ΔIcΔIB; ② 随着UCE的增加,曲线有些上翘。 此时 : ΔIcΔIB,管子在放大区具有特别强的电流放大作用。 结论: 在放大区,UBE 0、7V,UBC 0,Je正偏,Jc反偏,Ic随IB变化而变化,但与UCE的大小基本无关。 ΔIcΔIB,具有特别强的电流放大作用！3、饱和区: 晶体管工作在饱和模式下: UBE0、7V,UBC0,即:Je、Jc均正偏。 特点:曲线簇靠近纵轴附近,各条曲线的上升部分十分密集,几乎重叠在一起,能够看出: 当 IB 改变时,Ic 基本上可不能随之而改变。 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变,一般规定: 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和(VCB=0) 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和; 饱和时的UCE用UCES表示,三极管深度饱和时UCES特别小,一般小功率管的UCES＜ 0、3V,而锗管的UCES＜ 0、1V,比硅管还要小。4、击穿区 随着UCE增大,加在JE上的反向偏置电压UCB相应增大。 当UCE增大到一定值时,集电结就会发生反向击穿,造成集电极电流Ic剧增,这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。 造成击穿的原因: 由于集电结是轻掺杂的,产生的反向击穿主要是雪崩击穿,击穿电压较大。除此之外,在基区宽度特别小的三极管中,还会发生特有的穿通击穿,即:当UCE增大时,UCB相应增大,导致集电结Jc的阻挡层宽度增宽,直到集电结与发射结相遇,基区消失,这时发射区的多子电子将直截了当受集电结电场的作用,引起集电极电流迅速增大,呈现类似击穿的现象。 三极管的反向击穿主要表现为集电结的雪崩击穿。三极管PN结三种偏置方式组合发射结(be结)集电结(bc结)工作状态正偏反偏放大状态正偏正偏饱和状态反偏反偏截止状态5、晶体管三极管的工作特点如下:(1)为了在放