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- 2023-08-05 发布于四川
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具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极，SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有：经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极；与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极；设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极；经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极，p‑电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116547803 A
(43)申请公布日 2023.08.04
(21)申请号 202180077208.1 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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