原创力文档- 3
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- 2023-08-05 发布于四川
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本实用新型公开了一种新型锗基片，包括有方形锗基片，所述方形锗基片上表面、下表面与侧面之间分别设有倒棱边，所述方形锗基片四个角为倒角，有效地防止封装时相邻锗基片之间发生碰撞，同时方形锗基片外表均进行抛光，实现外表面的平面度优于633纳米、平行度优于2秒，提高方形锗基片与光学薄膜之间的附着力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209992700 U
(45)授权公告日
2020.01.24
(21)申请号 20192
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