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一种二极管芯片多层金属化层的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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一种二极管芯片多层金属化层的制作方法.pdf

    本发明提供的一种二极管芯片多层金属化层；包括基底，所述基底上制作有二氧化硅层，所述二氧化硅层上扩散有PI层，所述二氧化硅层和PI层中心制作有金属层，所述金属层为铝钛金多金层。本发明采用铝钛金多层金属化层，克服了金属化层与芯片的硅表面及表面二氧化硅膜粘附性差、顶层金属易氧化等不足，且金属化层刻蚀过程工艺简单，不会出现刻蚀速率差异较大导致的金属化层钻蚀及翘曲等不良现象，且各层金属的热匹配性好，在后续的高温钎焊过程中不出现起皮，翘曲等异常情。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110534564 A (43)申请公布日 2019.12.03 (21)申请号 20191

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