显示装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-05 发布于四川
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第一TFT(9A)包括：由多晶硅形成的第一半导体层(15a)；设置在第一半导体层(15a)之上的栅极绝缘膜(16a)；设置在栅极绝缘膜(16a)之上的第三半导体层(17a)；和设置在第三半导体层(17a)之上的第一栅极(18a)，第二TFT(9B)包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层(17b)；和分别设置在第二半导体层(17b)的第三导体区域(17ba)和第四导体区域(17bb)之上的第一金属层(18ba)和第二金属层(18bb)。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116547736 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202180081481.1 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任