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一种AlInGaN基发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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一种AlInGaN基发光二极管.pdf

    本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209993614 U (45)授权公告日 2020.01.24 (21)申请号 20192

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