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超结器件结构.pdfVIP

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  • 2023-08-06 发布于四川
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超结器件结构.pdf

    本实用新型提供一种超结器件结构，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于第一导电类型衬底的表面；多个第二导电类型柱，间隔分布于第一导电类型外延层内，以间隔出第一导电类型柱而形成超结结构；多个第二导电类型阱区，位于第一导电类型外延层内，且位于第二导电类型柱的上表面；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱区内；第二导电类型阱引出区，位于第二导电类型阱区内；隧穿二极管，位于第一导电类型外延层内，且位于第二导电类型柱和第一导电类型衬底之间。本实用新型的超结器件结构能有效降低超结器件体内的反向恢复电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210015858 U (45)授权公告日 2020.02.04 (21)申请号 20192

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