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- 2023-08-06 发布于四川
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本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括：第一半导体结构，上表面为第一介质层，所述第一介质层包括第一导电结构；第二半导体结构，键合于所述第一介质层，上表面为第二介质层；第二导电结构，位于所述第二介质层；第三导电结构，经过所述第一介质层和所述第二半导体结构，下表面连接于所述第一导电结构，上表面连接于所述第二导电结构；其中，所述第二导电结构和所述第三导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。本公开提供的半导体互连结构具有较低的电阻和较高的强度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210015848 U
(45)授权公告日
2020.02.04
(21)申请号 20192
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