SJT 10482-1994半导体深能级的瞬态电容测试方法.pdf

L 32SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10482-94半导体中深能级的瞬态电容测试方法Test method for characterizing semiconductordeep levels by transient capacitance techniques1994-04-11 发布1994-10-01实施中华人民共和国电子工业部•发布 中华人民共和国电子行业标准半导体中深能级的瞬态电容测试方法SI/T 10482-94Test method for characterizing semiconductor deeplevels by transient capacitance techniques1 主题内容与适用范围本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测硅、碑化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子 A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。2 术语和缩写词2.1 术语2.1.1 深能级 deep level杂质或缺陷在半导体禁带中产生的距带边（导带或价带)较远(相对浅杂质能级来说)或在禁带中部附近的能级。2.2 缩写词2.2.1DLTS deep level transient spectroscopy深能级瞬态谱。3原理深能级测量技术是利用深能级具有隐阱作用，它能隐住自由载流子，又能重新发射它们到导带或价带的特性。根据细致平衡关系，电子或空穴的发射率 en，可以表达成式(1)形式：en.p = on.pVthNe.-exp(- AE/T)*(1)式中：αn.β-缺陷对电子或空穴的俘获截面,cm²;Vth-—电子或空穴的热运动速度,cm/s;Nc.导带或价带态密度;cm-3;AE缺陷激活能,eV;· k—波尔兹曼常数,J/K;T -热力学温度,K。发射率 en·p 的一般表达式为:中华人民共和国电子工业部1994-04-11批准1994-10-01实施:1: SJ/T 10482--94(2)ea.p = AT?exp(△E/kT)其中,假定 n-与温度无关，Vu 与温度 T1/2 相关，Nc与温度 T3/2 相关。瞬态电容技术的基本原理是在被测样品(PN结二极管或肖特基势垒)上加如图1所示的重复偏压脉冲,对应于陷阱的电子或空穴发射将在结上产生一个电容的驰豫过程，瞬态电容AC 随时间t 的变化符合下面关系：(3)△C(t) = △Cexp(-- en.pt)式中：^C。是t=0时瞬态电容初始值,它同深能级浓度直接相关。DLTS法是在图①所示的电容瞬态上设置率窗,即通过博克斯卡(Boxcar)平均器在两个固定的 t1和 t2 时刻对周期性电容信号重复取样平均,然后以 △C(t1）－ △C(t2)对温度 T的关系作为 DLTS谱函数的输出讯号：..*.(4)S(t) = AC(t1) - AC(t2) = △Coexp(- en.pt1) - exp(- en.pt2)一把(4)式对en-。微分并求极值，得到蜂值处的发射率：(5)emaxt-1 = 1n(t2/ t1)/(t2 - tr)同时也能得到谱峰高度：S, = AC(B -- 1)BB(1-B).(6)式中; B = t2/ t1,改变率窗( t1 和 t2 )即可通过(2)式由 T² /emax1/ T 关系曲线得到激活能和发射率指数表达式前因子 A，由谱峰高度获得深能级浓度。M反偏置二极管：偏压醇态电容DLTS 取样门nn基准时间0图 1n*-P二极管二端反偏压重复变化时相对应的电容瞬态波型图4 仪器3 SJ/T 10482-944.1电容计：电容计使用高频测量信号,其电容测量范围为 1～100pF或更大,精度为±2%。仪器能承受±50V的直流偏压。能够补偿样品架连接电缆寄生电容及稳态电容等。其响应时间应远小于所能测量到的最小时间常数。仪器应具有在注入脉冲期间阻塞大电容的能力。电容计并不要求具有直读功能，但其输出必须具有良好的线性度。4.2 标准电容:标准电容的值一个应在 1～10pF 范围,另个应在 10～100pF 范围。精度优于0.25%。4.3 脉冲发生器:脉冲重复速率可控,其幅度可由个偏压(范围至少能在+10～～10V 之间可调)变化到另一个偏压(范围前)。开关时间应远小于所能测得的最小时间常数，并且脉冲的上冲量和下冲量应低于所用脉冲幅度的1%。4.4博克斯卡(Boxcar)平均器或等效的仪器：它有两个独立控制的取样门,取样时间可调,能够处理电容瞬态信号。4.5示波器：能够同时观察脉冲发生器的输出及电容瞬态。4.6记录仪：能够记录DLTS信号。4.7样品架：测温元件能与样品温度一一对应，所测样