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本发明公开了一种TiZrV‑Al磁控溅射靶材及其制备方法。所述TiZrV‑Al磁控溅射靶材包括内衬管和设于内衬管外的一段或多段TiZrV‑Al靶材;TiZrV‑Al磁控溅射靶材的制备方法包括如下步骤:将TiZrV‑Al粉体填充于模具中石墨模具与纯钛内衬管之间的环腔中;石墨模具与纯钛内衬管的两端配合石墨板;将模具进行脱气,然后置于惰性气氛中进行烧制得到靶材毛坯;从模具中取出纯钛内衬管,对胚料内壁进行车削得TiZrV‑Al靶材;将一段或多段TiZrV‑Al靶材布置于内衬管上即得。本发明TiZrV‑A
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116555714 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310235771.8 B22F 5/12 (2006.01)
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