SJT 10627-1995通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法.pdf

L 90SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10627--- 1995通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法Test methods for oxygen precipitation characterization of siliconwafers by measurement of interstitial oxygen reduction1995-10-01实施1995-04-22 发布中华人民共和国电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准通过测量间隙氧含量的减少表征SJ/T 10627- 1995硅片氧沉淀特性的方法Test methods for oxygen precipitation characterization of siliconwafers by measurement of interstitial oxygen reduction1 主题内容与适用范围1.1 主题内容本标准规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。1.2适用范围本标准适用于室温电阻率大于0.1Q.cm的 N型或P型直拉硅晶片,其热循环可为单一温度或双温度。2 引用标准硅单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557GB/900μm硅片间隙氧含量的红外吸收测量方法3方法原理概要本方法是用红外光谱仪测定硅晶片中间隙氧含量在退火前后的减少来确定氧的沉淀特性。氧的沉淀与硅片退火前后间隙氧含量的减少具有对应关系。4方法原理概要付里叶变换红外光谱仪或光栅式红外分光光度计，波数为1000cm~1处，分辨率优于a.4cm-1;b．热退火炉：温度范围750～1050℃，控温精度±2℃；c． 合适的石英管、石英舟；d。气管和进样装置。5试验样品的选择和准备5.1选择一组晶片作试验,这组晶片中包括氧浓度整个范围。在间隙氧含量([O])0.5ppma间隔范围内，至少选择两个晶片。例如，如果一组[O]范围是3ppma，则这组至少选择12个晶片。1995-10-01实施中华人民共和国电子工业部1995-04-22发布 SJ/T 10627- 19955.2试验样品应满足 GB1557或 GB/T 14143的要求。5.3用激光或手刻标记以区别每一试验样。6 测量步骤6.1根据样品厚度按GB1557或GB/T 14143测量原始样品的间隙氧。记录氧的数值、晶片记号、测量位置、试验日期和测量仪器。6.2 硅片清洗后,应尽可能快的进行试验。如果清洗和试验期间需将样品存放,需放在干净闭封的箱子里。6.3硅片中氧沉淀的热处理实验按表1进行。表 1硅片中氧沉淀的热处理实验实验A1050,16h实验 B1050℃,15h后,750℃,4h炉内气氧氮+5%于氧气体流量4.2 + 0.2L/min样品推/拉速度25cm/min升温速度10℃ /min降温速度sC/min注：实验 A为沉淀步骤,实验 B为沉淀后成该步骤。6.4将样品放进石英舟，应小心避免样品连在一起，用一干净的非金属真空装置托起样品以避免擦坏和污染表面。6.5打开工作管的入口处，将石英舟放进去，用推/拉杆以规定的速度(见表1)将舟推到加热区。6.6选择循环实验A或循环实验 B进行热处理(见表1),记录热处理数据和所用周期。6.7样品热处理后用氢氟酸去除表面氧化层并清洗晶片。6.8在热处理前晶片的[O]的每个测量点上,测量热处理后的[0],并使用和原始测量所用的仪器和装置,在记录原始数据的表格_上记录最后[O]的数据(见表2)。表 2记录氧含量的表格(ppma)平均氧减少标准偏差^晶片标记原始氧[O]]最后氧[O]氧减少[O]平均原始氧人1 SJ/T 10627-1995续表2平均氧减少A标准偏差A晶片标记原始氧[O]最后氧[O]氧减少[O]平均原始氧平均B标准偏差B注：A仅适用于方法2;B仅适用于方法1。7 计算和结果说明7.1从原始间隙氧含量减去[O]最后值，以确定氧的减少并记录氧的减少量。7.2采纳方法1和方法2的条件说明如下：7.2.1 方法17.2.1.1 当所希望的预定[0]已知,且每-组试验样品有相同的预定[0]及每试验组[0]的范围小于 4ppma时使用这种方法。7.2.1.2如果不同试验组间的平均[O]差大于 0.5ppma 时,则不能使用这种方法。7.2.1.3决定每一组试验样品原始[0]和氧减少的平均值和标准偏差。7.2.1.4如果这组试验样品平均氧减少在所希望的范围内,认为这组数值是相等的。7.2.2方法27.2.2.1为了获得：(1)所实验样品的沉淀特性的定性观察：(2)氧沉淀曲线的重要特点，需要将氧含量和沉淀特性区分时，使用这种方法。7.2.2.2 对每一组样品将氧减少数据分类,将有0.5ppma 间隔内[O]的所有样